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GA05JT12-247

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Artikelnummer	GA05JT12-247
LIXINC Part #	GA05JT12-247
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	TRANS SJT 1200V 5A TO247AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	GA05JT12-247 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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GA05JT12-247 Spezifikationen

Artikelnummer:	GA05JT12-247
Marke:	GeneSiC Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	GeneSiC Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	-
Technologie:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain-Source-Spannung (vdss):	1200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	5A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	-
rds auf (max) @ id, vgs:	280mOhm @ 5A
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	-
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	106W (Tc)
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-247AB
Paket / Koffer:	TO-247-3