IRF5806 | IR (Infineon Technologies) IRF5806 | IRF5806 Inventory, Best Pricing

IRF5806

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IRF5806
LIXINC Part #	IRF5806
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 4A MICRO6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRF5806 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 08 - Jul 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IRF5806 Spezifikationen

Artikelnummer:	IRF5806
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	P-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	4A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	2.5V, 4.5V
rds auf (max) @ id, vgs:	86mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	11.4 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	594 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	2W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	Micro6™(TSOP-6)
Paket / Koffer:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6