NVMFS6B14NLWFT1G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NVMFS6B14NLWFT1G

NVMFS6B14NLWFT1G

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Artikelnummer	NVMFS6B14NLWFT1G
LIXINC Part #	NVMFS6B14NLWFT1G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 11A/55A 5DFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NVMFS6B14NLWFT1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 27 - Oct 01 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NVMFS6B14NLWFT1G Spezifikationen

Artikelnummer:	NVMFS6B14NLWFT1G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	Automotive, AEC-Q101
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	11A (Ta), 55A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	13mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	8 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1680 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3.8W (Ta), 94W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer:	8-PowerTDFN