IPP08CNE8N G | IR (Infineon Technologies) IPP08CNE8N G | IPP08CNE8N G Inventory, Best Pricing

IPP08CNE8N G

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IPP08CNE8N G
LIXINC Part #	IPP08CNE8N G
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IPP08CNE8N G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 27 - Oct 01 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IPP08CNE8N G Spezifikationen

Artikelnummer:	IPP08CNE8N G
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	OptiMOS™
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	85 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	95A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	6.4mOhm @ 95A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 130µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	99 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	6690 pF @ 40 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	167W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	PG-TO220-3
Paket / Koffer:	TO-220-3