2N6661JTVP02 | Vishay / Siliconix 2N6661JTVP02 | 2N6661JTVP02 Inventory, Best Pricing

2N6661JTVP02

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Artikelnummer	2N6661JTVP02
LIXINC Part #	2N6661JTVP02
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 90V 860MA TO39
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2N6661JTVP02 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2N6661JTVP02 Spezifikationen

Artikelnummer:	2N6661JTVP02
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	90 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	860mA (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	-
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	50 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-39
Paket / Koffer:	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can