IPI65R280E6XKSA1

IPI65R280E6XKSA1
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Artikelnummer IPI65R280E6XKSA1
LIXINC Part # IPI65R280E6XKSA1
Hersteller IR (Infineon Technologies)
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 650V 13.8A TO262-3
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle IPI65R280E6XKSA1 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPI65R280E6XKSA1 Spezifikationen

Artikelnummer:IPI65R280E6XKSA1
Marke:IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:IR (Infineon Technologies)
Serie:CoolMOS™ E6
Paket:Tube
Teilstatus:Discontinued at Digi-Key
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:13.8A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:280mOhm @ 4.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 440µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:45 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:950 pF @ 100 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):104W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO262-3-1
Paket / Koffer:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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