PHB110NQ06LT,118 | NXP Semiconductors PHB110NQ06LT,118 | PHB110NQ06LT,118 Inventory, Best Pricing

PHB110NQ06LT,118

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Artikelnummer	PHB110NQ06LT,118
LIXINC Part #	PHB110NQ06LT,118
Hersteller	NXP Semiconductors
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PHB110NQ06LT,118 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 25 - Sep 29 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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PHB110NQ06LT,118 Spezifikationen

Artikelnummer:	PHB110NQ06LT,118
Marke:	NXP Semiconductors
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	NXP Semiconductors
Serie:	TrenchMOS™
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	55 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	75A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	7mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	45 nC @ 5 V
vgs (max):	±15V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	3960 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	200W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB