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APTC90DAM60T1G

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Artikelnummer	APTC90DAM60T1G
LIXINC Part #	APTC90DAM60T1G
Hersteller	Microsemi
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	APTC90DAM60T1G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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APTC90DAM60T1G Spezifikationen

Artikelnummer:	APTC90DAM60T1G
Marke:	Microsemi
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Microsemi
Serie:	CoolMOS™
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	900 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	59A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 52A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 6mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	540 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	13600 pF @ 100 V
fet-Funktion:	Super Junction
Verlustleistung (max.):	462W (Tc)
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SP1
Paket / Koffer:	SP1