IRF3711ZPBF

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Artikelnummer IRF3711ZPBF
LIXINC Part # IRF3711ZPBF
Hersteller IR (Infineon Technologies)
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung MOSFET N-CH 20V 92A TO220AB
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle IRF3711ZPBF PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IRF3711ZPBF Spezifikationen

Artikelnummer:IRF3711ZPBF
Marke:IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:IR (Infineon Technologies)
Serie:HEXFET®
Paket:Tube
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):20 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:92A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:6mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.45V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:24 nC @ 4.5 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2150 pF @ 10 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):79W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB
Paket / Koffer:TO-220-3

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