RJK0629DPE-00#J3 | Renesas Electronics America RJK0629DPE-00#J3 | RJK0629DPE-00#J3 Inventory, Best Pricing

RJK0629DPE-00#J3

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	RJK0629DPE-00#J3
LIXINC Part #	RJK0629DPE-00#J3
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 85A 4LDPAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	RJK0629DPE-00#J3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

RJK0629DPE-00#J3 Spezifikationen

Artikelnummer:	RJK0629DPE-00#J3
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	85A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	4.5mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	85 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4100 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	100W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	4-LDPAK
Paket / Koffer:	SC-83