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AUIRLL024N

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Artikelnummer	AUIRLL024N
LIXINC Part #	AUIRLL024N
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	AUIRLL024N PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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AUIRLL024N Spezifikationen

Artikelnummer:	AUIRLL024N
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	55 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	3.1A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 3.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	15.6 nC @ 5 V
vgs (max):	±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	510 pF @ 25 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1W (Ta)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-223
Paket / Koffer:	TO-261-4, TO-261AA