SUD50N10-18P-E3 | Vishay / Siliconix SUD50N10-18P-E3 | SUD50N10-18P-E3 Inventory, Best Pricing

SUD50N10-18P-E3

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	SUD50N10-18P-E3
LIXINC Part #	SUD50N10-18P-E3
Hersteller	Vishay / Siliconix
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	SUD50N10-18P-E3 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

SUD50N10-18P-E3 Spezifikationen

Artikelnummer:	SUD50N10-18P-E3
Marke:	Vishay / Siliconix
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Vishay / Siliconix
Serie:	TrenchFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	8.2A (Ta), 50A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	10V
rds auf (max) @ id, vgs:	18.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	75 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2600 pF @ 50 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	3W (Ta), 136.4W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-252, (D-Pak)
Paket / Koffer:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63