IRF3707ZCSTRRP | IR (Infineon Technologies) IRF3707ZCSTRRP | IRF3707ZCSTRRP Inventory, Best Pricing

IRF3707ZCSTRRP

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	IRF3707ZCSTRRP
LIXINC Part #	IRF3707ZCSTRRP
Hersteller	IR (Infineon Technologies)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IRF3707ZCSTRRP PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

IRF3707ZCSTRRP Spezifikationen

Artikelnummer:	IRF3707ZCSTRRP
Marke:	IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	IR (Infineon Technologies)
Serie:	HEXFET®
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	59A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	9.5mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.25V @ 25µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	15 nC @ 4.5 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1210 pF @ 15 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	57W (Tc)
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:	D2PAK
Paket / Koffer:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB