2SK3430-Z-E1-AZ | Renesas Electronics America 2SK3430-Z-E1-AZ | 2SK3430-Z-E1-AZ Inventory, Best Pricing

2SK3430-Z-E1-AZ

Vergrößern

Nur als Referenz

Artikelnummer	2SK3430-Z-E1-AZ
LIXINC Part #	2SK3430-Z-E1-AZ
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SK3430-Z-E1-AZ PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 21 - Sep 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

2SK3430-Z-E1-AZ Spezifikationen

Artikelnummer:	2SK3430-Z-E1-AZ
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	80A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	4V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:	7.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	50 nC @ 10 V
vgs (max):	±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	2800 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	1.5W (Ta), 84W (Tc)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220AB
Paket / Koffer:	TO-220-3