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2SK4151TZ-E

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Artikelnummer	2SK4151TZ-E
LIXINC Part #	2SK4151TZ-E
Hersteller	Renesas Electronics America
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 1A TO92
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SK4151TZ-E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2SK4151TZ-E Spezifikationen

Artikelnummer:	2SK4151TZ-E
Marke:	Renesas Electronics America
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Single
Hersteller:	Renesas Electronics America
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Obsolete
fet-Typ:	N-Channel
Technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):	150 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	1A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):	2.5V, 4V
rds auf (max) @ id, vgs:	1.95Ohm @ 500mA, 4V
vgs(th) (max) @ id:	-
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	3.5 nC @ 4 V
vgs (max):	±10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	98 pF @ 10 V
fet-Funktion:	-
Verlustleistung (max.):	750mW (Ta)
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-92
Paket / Koffer:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)