ULN2803AFWG,C,EL | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation ULN2803AFWG,C,EL

ULN2803AFWG,C,EL

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Artikelnummer	ULN2803AFWG,C,EL
LIXINC Part #	ULN2803AFWG,C,EL
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays
Beschreibung	TRANS 8NPN DARL 50V 0.5A 18SOL
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	ULN2803AFWG,C,EL PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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ULN2803AFWG,C,EL Spezifikationen

Artikelnummer:	ULN2803AFWG,C,EL
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	8 NPN Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max):	500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	1.6V @ 500µA, 350mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	-
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 350mA, 2V
Leistung max:	1.31W
Frequenz - Übergang:	-
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	18-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	18-SOL