MJ11030G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor MJ11030G

MJ11030G

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Artikelnummer	MJ11030G
LIXINC Part #	MJ11030G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MJ11030G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MJ11030G Spezifikationen

Artikelnummer:	MJ11030G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max):	50 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	90 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	3.5V @ 500mA, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	2mA
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 25A, 5V
Leistung max:	300 W
Frequenz - Übergang:	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 200°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-204AE
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3