2SD2406-Y(F) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SD2406-Y(F)

2SD2406-Y(F)

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Artikelnummer	2SD2406-Y(F)
LIXINC Part #	2SD2406-Y(F)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS NPN 80V 4A TO220NIS
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SD2406-Y(F) PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2SD2406-Y(F) Spezifikationen

Artikelnummer:	2SD2406-Y(F)
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	NPN
Strom - Kollektor (ic) (max):	4 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	80 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	1.5V @ 300mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	30µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 500mA, 5V
Leistung max:	25 W
Frequenz - Übergang:	8MHz
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-220NIS