2SB1457(TE6,F,M) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SB1457(TE6,F,M)

2SB1457(TE6,F,M)

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Artikelnummer	2SB1457(TE6,F,M)
LIXINC Part #	2SB1457(TE6,F,M)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS PNP 2A 100V TO226-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SB1457(TE6,F,M) PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 10 - Oct 14 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2SB1457(TE6,F,M) Spezifikationen

Artikelnummer:	2SB1457(TE6,F,M)
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Obsolete
Transistortyp:	PNP
Strom - Kollektor (ic) (max):	2 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	100 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	1.5V @ 1mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	2000 @ 1A, 2V
Leistung max:	900 mW
Frequenz - Übergang:	50MHz
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-92MOD

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