2SA1962-O(Q) | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation 2SA1962-O(Q)

2SA1962-O(Q)

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Artikelnummer	2SA1962-O(Q)
LIXINC Part #	2SA1962-O(Q)
Hersteller	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Beschreibung	TRANS PNP 230V 15A TO-3PN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SA1962-O(Q) PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2SA1962-O(Q) Spezifikationen

Artikelnummer:	2SA1962-O(Q)
Marke:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Hersteller:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	PNP
Strom - Kollektor (ic) (max):	15 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	230 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	3V @ 800mA, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	5µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 1A, 5V
Leistung max:	130 W
Frequenz - Übergang:	30MHz
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-3P(N)