EDB5432BEBH-1DAAT-F-D

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Artikelnummer	EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
LIXINC Part #	EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	EDB5432BEBH-1DAAT-F-D PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Spezifikationen

Artikelnummer:	EDB5432BEBH-1DAAT-F-D
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Last Time Buy
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - Mobile LPDDR2
Speichergröße:	512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	533 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.14V ~ 1.95V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	134-VFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	134-VFBGA (10x11.5)

EDB5432BEBH-1DAAT-F-D Unterlagen

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