CY14B101J1-SXI

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Artikelnummer	CY14B101J1-SXI
LIXINC Part #	CY14B101J1-SXI
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	NON-VOLATILE SRAM, 128KX8, CMOS,
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CY14B101J1-SXI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 09 - Oct 13 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

CY14B101J1-SXI Spezifikationen

Artikelnummer:	CY14B101J1-SXI
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	NVSRAM
Technologie:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße:	1Mb (128K x 8)
Speicherschnittstelle:	I²C
Taktfrequenz:	3.4 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	8-SOIC

CY14B101J1-SXI Unterlagen

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