CY7C1474V25-200BGC

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Artikelnummer	CY7C1474V25-200BGC
LIXINC Part #	CY7C1474V25-200BGC
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	ZBT SRAM, 1MX72, 3NS PBGA209
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CY7C1474V25-200BGC PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CY7C1474V25-200BGC Spezifikationen

Artikelnummer:	CY7C1474V25-200BGC
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	NoBL™
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Synchronous, SDR
Speichergröße:	72Mb (1M x 72)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	200 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	3 ns
Spannungsversorgung:	2.375V ~ 2.625V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	209-BGA
Gerätepaket des Lieferanten:	209-FBGA (14x22)

CY7C1474V25-200BGC Unterlagen

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