CY14E116N-Z30XI

CY14E116N-Z30XI

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Artikelnummer	CY14E116N-Z30XI
LIXINC Part #	CY14E116N-Z30XI
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	NON-VOLATILE SRAM, 1MX16, 30NS P
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CY14E116N-Z30XI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 29 - Nov 02 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CY14E116N-Z30XI Spezifikationen

Artikelnummer:	CY14E116N-Z30XI
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	NVSRAM
Technologie:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße:	16Mb (1M x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	30ns
Zugriffszeit:	30 ns
Spannungsversorgung:	4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	48-TSOP I

CY14E116N-Z30XI Unterlagen

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