MT40A2G4WE-083E:B TR

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Artikelnummer	MT40A2G4WE-083E:B TR
LIXINC Part #	MT40A2G4WE-083E:B TR
Hersteller	Micron Technology
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MT40A2G4WE-083E:B TR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 26 - Oct 30 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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MT40A2G4WE-083E:B TR Spezifikationen

Artikelnummer:	MT40A2G4WE-083E:B TR
Marke:	Micron Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Micron Technology
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - DDR4
Speichergröße:	8Gb (2G x 4)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	1.2 GHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.14V ~ 1.26V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 95°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	78-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	78-FBGA (8x12)

MT40A2G4WE-083E:B TR Unterlagen

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