DS2030Y-100#

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Artikelnummer	DS2030Y-100#
LIXINC Part #	DS2030Y-100#
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC NVSRAM 256KBIT PAR 256BGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DS2030Y-100# PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 22 - Oct 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

DS2030Y-100# Spezifikationen

Artikelnummer:	DS2030Y-100#
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	NVSRAM
Technologie:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße:	256Kb (32K x 8)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	100ns
Zugriffszeit:	100 ns
Spannungsversorgung:	4.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	256-BGA
Gerätepaket des Lieferanten:	256-BGA (27x27)

DS2030Y-100# Unterlagen

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