71V65803S100BG

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Artikelnummer	71V65803S100BG
LIXINC Part #	71V65803S100BG
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC SRAM 9MBIT PARALLEL 119PBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	71V65803S100BG PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
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71V65803S100BG Spezifikationen

Artikelnummer:	71V65803S100BG
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Speichergröße:	9Mb (512K x 18)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	100 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	5 ns
Spannungsversorgung:	3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	119-BGA
Gerätepaket des Lieferanten:	119-PBGA (14x22)

71V65803S100BG Unterlagen

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