W987D2HBJX7E

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Artikelnummer	W987D2HBJX7E
LIXINC Part #	W987D2HBJX7E
Hersteller	Winbond Electronics Corporation
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC DRAM 128MBIT PARALLEL 90VFBGA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	W987D2HBJX7E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 23 - Oct 27 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

W987D2HBJX7E Spezifikationen

Artikelnummer:	W987D2HBJX7E
Marke:	Winbond Electronics Corporation
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Winbond Electronics Corporation
Serie:	-
Paket:	Tray
Teilstatus:	Not For New Designs
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	DRAM
Technologie:	SDRAM - Mobile LPSDR
Speichergröße:	128Mb (4M x 32)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	133 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	15ns
Zugriffszeit:	5.4 ns
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur:	-25°C ~ 85°C (TC)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	90-TFBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	90-VFBGA (8x13)

W987D2HBJX7E Unterlagen

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