BR25S128GUZ-WE2

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Artikelnummer	BR25S128GUZ-WE2
LIXINC Part #	BR25S128GUZ-WE2
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC EEPROM 128K SPI VCSP35L2
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	BR25S128GUZ-WE2 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 23 - Oct 27 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
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BR25S128GUZ-WE2 Spezifikationen

Artikelnummer:	BR25S128GUZ-WE2
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	EEPROM
Technologie:	EEPROM
Speichergröße:	128Kb (16K x 8)
Speicherschnittstelle:	SPI
Taktfrequenz:	10 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	5ms
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 5.5V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	12-XFBGA, CSPBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	VCSP35L2

BR25S128GUZ-WE2 Unterlagen

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