CY7C1321KV18-250BZC

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Artikelnummer	CY7C1321KV18-250BZC
LIXINC Part #	CY7C1321KV18-250BZC
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	DDR SRAM, 512KX36, 0.45NS, CMOS,
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CY7C1321KV18-250BZC PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CY7C1321KV18-250BZC Spezifikationen

Artikelnummer:	CY7C1321KV18-250BZC
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Speichertyp:	Volatile
Speicherformat:	SRAM
Technologie:	SRAM - Synchronous, DDR II
Speichergröße:	18Mb (512K x 36)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	250 MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	-
Zugriffszeit:	-
Spannungsversorgung:	1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur:	0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	165-LBGA
Gerätepaket des Lieferanten:	165-FBGA (13x15)

CY7C1321KV18-250BZC Unterlagen

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