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Artikelnummer | 71V416S12YG |
LIXINC Part # | 71V416S12YG |
Hersteller | Renesas Electronics America |
Kategorie | integrierte Schaltkreise › Speicher |
Beschreibung | IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | 71V416S12YG PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 28 - Nov 01 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
Versand |
Artikelnummer: | 71V416S12YG |
Marke: | Renesas Electronics America |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | integrierte Schaltkreise |
Unterkategorie: | Speicher |
Hersteller: | Renesas Electronics America |
Serie: | - |
Paket: | Tube |
Teilstatus: | Active |
Speichertyp: | Volatile |
Speicherformat: | SRAM |
Technologie: | SRAM - Asynchronous |
Speichergröße: | 4Mb (256K x 16) |
Speicherschnittstelle: | Parallel |
Taktfrequenz: | - |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite: | 12ns |
Zugriffszeit: | 12 ns |
Spannungsversorgung: | 3V ~ 3.6V |
Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) |
Gerätepaket des Lieferanten: | 44-SOJ |
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Auf Lager | 10906 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.68465 | $3.68465 |
256 | $3.22931 | $826.70336 |
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