CY14B104N-ZS25XI | Rochester Electronics CY14B104N-ZS25XI | CY14B104N-ZS25XI Inventory, Best Pricing

CY14B104N-ZS25XI

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Artikelnummer	CY14B104N-ZS25XI
LIXINC Part #	CY14B104N-ZS25XI
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	integrierte Schaltkreise › Speicher
Beschreibung	IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CY14B104N-ZS25XI PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CY14B104N-ZS25XI Spezifikationen

Artikelnummer:	CY14B104N-ZS25XI
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	integrierte Schaltkreise
Unterkategorie:	Speicher
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Obsolete
Speichertyp:	Non-Volatile
Speicherformat:	NVSRAM
Technologie:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Speichergröße:	4Mb (256K x 16)
Speicherschnittstelle:	Parallel
Taktfrequenz:	-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite:	25ns
Zugriffszeit:	25 ns
Spannungsversorgung:	2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 85°C (TA)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Gerätepaket des Lieferanten:	44-TSOP II