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Artikelnummer | DF200R12KE3HOSA1 |
LIXINC Part # | DF200R12KE3HOSA1 |
Hersteller | IR (Infineon Technologies) |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module |
Beschreibung | IGBT MODULE 1200V 1040W |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | DF200R12KE3HOSA1 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
Zahlung | |
Versand |
Artikelnummer: | DF200R12KE3HOSA1 |
Marke: | IR (Infineon Technologies) |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Transistoren - igbts - Module |
Hersteller: | IR (Infineon Technologies) |
Serie: | - |
Paket: | Bulk |
Teilstatus: | Active |
igbt-Typ: | - |
Aufbau: | Single |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 1200 V |
Strom - Kollektor (ic) (max): | - |
Leistung max: | 1040 W |
vce(on) (max) @ vge, ic: | 2.15V @ 15V, 200A |
Strom - Kollektorabschaltung (max): | 5 mA |
Eingangskapazität (cies) @ vce: | 14 nF @ 25 V |
Eingang: | Standard |
NTC-Thermistor: | No |
Betriebstemperatur: | -40°C ~ 125°C |
Befestigungsart: | Chassis Mount |
Paket / Koffer: | Module |
Gerätepaket des Lieferanten: | Module |
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Auf Lager | 10816 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $109.87200 | $109.872 |
10 | $105.84131 | $1058.4131 |
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