CPV363M4K | Vishay General Semiconductor – Diodes Division CPV363M4K

CPV363M4K

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Artikelnummer	CPV363M4K
LIXINC Part #	CPV363M4K
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	CPV363M4K PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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CPV363M4K Spezifikationen

Artikelnummer:	CPV363M4K
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	-
Aufbau:	Three Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	600 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	11 A
Leistung max:	36 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2V @ 15V, 11A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	250 µA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	0.74 nF @ 30 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	No
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	19-SIP (13 Leads), IMS-2
Gerätepaket des Lieferanten:	IMS-2