VS-ETF150Y65N | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N

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Artikelnummer	VS-ETF150Y65N
LIXINC Part #	VS-ETF150Y65N
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MOD 650V 201A 600W
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	VS-ETF150Y65N PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

VS-ETF150Y65N Spezifikationen

Artikelnummer:	VS-ETF150Y65N
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	FRED Pt®
Paket:	Box
Teilstatus:	Obsolete
igbt-Typ:	NPT
Aufbau:	Half Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	650 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	201 A
Leistung max:	600 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.17V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	-
Eingangskapazität (cies) @ vce:	-
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	Yes
Betriebstemperatur:	175°C (TJ)
Befestigungsart:	-
Paket / Koffer:	Module
Gerätepaket des Lieferanten:	Module