IXDN75N120

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Artikelnummer	IXDN75N120
LIXINC Part #	IXDN75N120
Hersteller	Wickmann / Littelfuse
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - igbts - Module
Beschreibung	IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IXDN75N120 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
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IXDN75N120 Spezifikationen

Artikelnummer:	IXDN75N120
Marke:	Wickmann / Littelfuse
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - igbts - Module
Hersteller:	Wickmann / Littelfuse
Serie:	-
Paket:	Tube
Teilstatus:	Active
igbt-Typ:	NPT
Aufbau:	Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	1200 V
Strom - Kollektor (ic) (max):	150 A
Leistung max:	660 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 75A
Strom - Kollektorabschaltung (max):	4 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:	5.5 nF @ 25 V
Eingang:	Standard
NTC-Thermistor:	No
Betriebstemperatur:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	SOT-227-4, miniBLOC
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-227B

IXDN75N120 Unterlagen

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