FF450R17IE4BOSA2

FF450R17IE4BOSA2
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Artikelnummer FF450R17IE4BOSA2
LIXINC Part # FF450R17IE4BOSA2
Hersteller IR (Infineon Technologies)
Kategorie Diskreter HalbleiterTransistoren - igbts - Module
Beschreibung IGBT MOD 1700V 620A 2800W
Lebenszyklus Aktiv
RoHS Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle FF450R17IE4BOSA2 PCB-Footprint und Symbol
Lager USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Versand DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FF450R17IE4BOSA2 Spezifikationen

Artikelnummer:FF450R17IE4BOSA2
Marke:IR (Infineon Technologies)
Lebenszyklus:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:Transistoren - igbts - Module
Hersteller:IR (Infineon Technologies)
Serie:-
Paket:Bulk
Teilstatus:Active
igbt-Typ:-
Aufbau:2 Independent
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):1700 V
Strom - Kollektor (ic) (max):620 A
Leistung max:2800 W
vce(on) (max) @ vge, ic:2.45V @ 15V, 450A
Strom - Kollektorabschaltung (max):5 mA
Eingangskapazität (cies) @ vce:36 nF @ 25 V
Eingang:Standard
NTC-Thermistor:Yes
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C
Befestigungsart:Chassis Mount
Paket / Koffer:Module
Gerätepaket des Lieferanten:Module

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