AZ23B8V2-G3-18 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division AZ23B8V2-G3-18

AZ23B8V2-G3-18

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Artikelnummer	AZ23B8V2-G3-18
LIXINC Part #	AZ23B8V2-G3-18
Hersteller	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Zener - Arrays
Beschreibung	DIODE ZENER 8.2V 300MW SOT23
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	AZ23B8V2-G3-18 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 21 - Oct 25 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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AZ23B8V2-G3-18 Spezifikationen

Artikelnummer:	AZ23B8V2-G3-18
Marke:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Zener - Arrays
Hersteller:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Aufbau:	1 Pair Common Anode
Spannung - Zener (nom) (vz):	8.2 V
Toleranz:	±2%
Leistung max:	300 mW
Impedanz (max) (zzt):	7 Ohms
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	100 nA @ 6 V
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	-
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-23

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