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IMD3AT108

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Artikelnummer	IMD3AT108
LIXINC Part #	IMD3AT108
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Beschreibung	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	IMD3AT108 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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IMD3AT108 Spezifikationen

Artikelnummer:	IMD3AT108
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50V
Widerstand - Basis (r1):	10kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	10kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	30 @ 5mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA
Frequenz - Übergang:	250MHz
Leistung max:	300mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SC-74, SOT-457
Gerätepaket des Lieferanten:	SMT6