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QSH29TR

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Artikelnummer	QSH29TR
LIXINC Part #	QSH29TR
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Beschreibung	TRANS 2NPN PREBIAS 1.25W TSMT6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	QSH29TR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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QSH29TR Spezifikationen

Artikelnummer:	QSH29TR
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max):	500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	70V
Widerstand - Basis (r1):	10kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	-
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	500 @ 200mA, 5V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	300mV @ 1mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA (ICBO)
Frequenz - Übergang:	-
Leistung max:	1.25W
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket des Lieferanten:	TSMT6 (SC-95)

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NHUMD9F	NHUMD9/SOT363/SC-88	10836 Mehr auf Bestellung
RN1908,LF(CT	NPNX2 BRT Q1BSR22KOHM Q1BER47KOH	6812 Mehr auf Bestellung
EMH2FHAT2R	NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR	9000 Mehr auf Bestellung
EMH60T2R	TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6	6476 Mehr auf Bestellung
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