NSBC123JDP6T5G | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor NSBC123JDP6T5G

NSBC123JDP6T5G

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Artikelnummer	NSBC123JDP6T5G
LIXINC Part #	NSBC123JDP6T5G
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Beschreibung	TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT963
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	NSBC123JDP6T5G PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 06 - Oct 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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NSBC123JDP6T5G Spezifikationen

Artikelnummer:	NSBC123JDP6T5G
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)
Teilstatus:	Active
Transistortyp:	2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Strom - Kollektor (ic) (max):	100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):	50V
Widerstand - Basis (r1):	2.2kOhms
Widerstand - Emitter Basis (r2):	47kOhms
Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:	80 @ 5mA, 10V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:	250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max):	500nA
Frequenz - Übergang:	-
Leistung max:	339mW
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	SOT-963
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-963

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