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US6M11TR

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Artikelnummer	US6M11TR
LIXINC Part #	US6M11TR
Hersteller	ROHM Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	US6M11TR PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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US6M11TR Spezifikationen

Artikelnummer:	US6M11TR
Marke:	ROHM Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	ROHM Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N and P-Channel
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V, 12V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	1.5A, 1.3A
rds auf (max) @ id, vgs:	180mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1V @ 1mA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	1.8nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	110pF @ 10V
Leistung max:	1W
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-SMD, Flat Leads
Gerätepaket des Lieferanten:	TUMT6