DMN2014LHAB-7 | Zetex Semiconductors (Diodes Inc.) DMN2014LHAB-7

DMN2014LHAB-7

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Artikelnummer	DMN2014LHAB-7
LIXINC Part #	DMN2014LHAB-7
Hersteller	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	DMN2014LHAB-7 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 22 - Sep 26 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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DMN2014LHAB-7 Spezifikationen

Artikelnummer:	DMN2014LHAB-7
Marke:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Hersteller:	Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
fet-Funktion:	Logic Level Gate
Drain-Source-Spannung (vdss):	20V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:	9A
rds auf (max) @ id, vgs:	13mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	1.1V @ 250µA
Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 4.5V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	1550pF @ 10V
Leistung max:	800mW
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	6-UFDFN Exposed Pad
Gerätepaket des Lieferanten:	U-DFN2030-6 (Type B)

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