PMBFJ112,215 | Rochester Electronics PMBFJ112,215 | PMBFJ112,215 Inventory, Best Pricing

PMBFJ112,215

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Artikelnummer	PMBFJ112,215
LIXINC Part #	PMBFJ112,215
Hersteller	Rochester Electronics
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - JFETs
Beschreibung	PMBFJ112 - N-CHANNEL FET
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	PMBFJ112,215 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 07 - Oct 11 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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PMBFJ112,215 Spezifikationen

Artikelnummer:	PMBFJ112,215
Marke:	Rochester Electronics
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - JFETs
Hersteller:	Rochester Electronics
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Spannung - Durchbruch (v(br)gss):	40 V
Drain-Source-Spannung (vdss):	40 V
Strom - Drain (idss) @ vds (vgs=0):	5 mA @ 15 V
Stromaufnahme (id) - max:	-
Spannung - Cutoff (vgs aus) @ id:	5 V @ 1 µA
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	6pF @ 10V (VGS)
Widerstand - rds(on):	50 Ohms
Leistung max:	300 mW
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	SOT-23 (TO-236AB)

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