J112-D27Z | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor J112-D27Z

J112-D27Z

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Artikelnummer	J112-D27Z
LIXINC Part #	J112-D27Z
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - JFETs
Beschreibung	JFET N-CH 35V 625MW TO92-3
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	J112-D27Z PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Jul 06 - Jul 10 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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J112-D27Z Spezifikationen

Artikelnummer:	J112-D27Z
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - JFETs
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Spannung - Durchbruch (v(br)gss):	35 V
Drain-Source-Spannung (vdss):	-
Strom - Drain (idss) @ vds (vgs=0):	5 mA @ 15 V
Stromaufnahme (id) - max:	-
Spannung - Cutoff (vgs aus) @ id:	1 V @ 1 µA
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	-
Widerstand - rds(on):	50 Ohms
Leistung max:	625 mW
Betriebstemperatur:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-92-3

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