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2N5460

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Artikelnummer	2N5460
LIXINC Part #	2N5460
Hersteller	NTE Electronics, Inc.
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - JFETs
Beschreibung	T-JFET P CHANNEL
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2N5460 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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Versand

2N5460 Spezifikationen

Artikelnummer:	2N5460
Marke:	NTE Electronics, Inc.
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - JFETs
Hersteller:	NTE Electronics, Inc.
Serie:	-
Paket:	Bag
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	P-Channel
Spannung - Durchbruch (v(br)gss):	40 V
Drain-Source-Spannung (vdss):	-
Strom - Drain (idss) @ vds (vgs=0):	1 mA @ 15 V
Stromaufnahme (id) - max:	-
Spannung - Cutoff (vgs aus) @ id:	750 mV @ 1 µA
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	7pF @ 15V
Widerstand - rds(on):	-
Leistung max:	310 mW
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:	Through Hole
Paket / Koffer:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket des Lieferanten:	TO-92

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