2SK3666-3-TB-E | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor 2SK3666-3-TB-E

2SK3666-3-TB-E

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Artikelnummer	2SK3666-3-TB-E
LIXINC Part #	2SK3666-3-TB-E
Hersteller	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Transistoren - JFETs
Beschreibung	JFET N-CH 10MA 200MW 3CP
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	2SK3666-3-TB-E PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 20 - Oct 24 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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2SK3666-3-TB-E Spezifikationen

Artikelnummer:	2SK3666-3-TB-E
Marke:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Transistoren - JFETs
Hersteller:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:	Active
fet-Typ:	N-Channel
Spannung - Durchbruch (v(br)gss):	-
Drain-Source-Spannung (vdss):	30 V
Strom - Drain (idss) @ vds (vgs=0):	1.2 mA @ 10 V
Stromaufnahme (id) - max:	10 mA
Spannung - Cutoff (vgs aus) @ id:	180 mV @ 1 µA
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:	4pF @ 10V
Widerstand - rds(on):	200 Ohms
Leistung max:	200 mW
Betriebstemperatur:	150°C (TJ)
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket des Lieferanten:	3-CP

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