Nur als Referenz
Artikelnummer | BZD17C4V3P-E3-08 |
LIXINC Part # | BZD17C4V3P-E3-08 |
Hersteller | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Kategorie | Diskreter Halbleiter › Dioden - Zener - Single |
Beschreibung | DIODE ZENER 4.3V 800MW DO219AB |
Lebenszyklus | Aktiv |
RoHS | Keine RoHS-Informationen |
EDA/CAD-Modelle | BZD17C4V3P-E3-08 PCB-Footprint und Symbol |
Lager | USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong |
Voraussichtliche Lieferung | Oct 08 - Oct 12 2024(Wählen Sie Expressversand) |
Garantie | Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]* |
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Artikelnummer: | BZD17C4V3P-E3-08 |
Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Lebenszyklus: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Kategorie: | Diskreter Halbleiter |
Unterkategorie: | Dioden - Zener - Single |
Hersteller: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
Serie: | - |
Paket: | Tape & Reel (TR) |
Teilstatus: | Active |
Spannung - Zener (nom) (vz): | 4.3 V |
Toleranz: | - |
Leistung max: | 800 mW |
Impedanz (max) (zzt): | - |
Strom - Rückwärtsleckage @ vr: | 25 µA @ 1 V |
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if: | 1.2 V @ 200 mA |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Paket / Koffer: | DO-219AB |
Gerätepaket des Lieferanten: | DO-219AB (SMF) |
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Auf Lager | 10854 - Mehr auf Bestellung |
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Angebotslimit | Keine Begrenzung |
Vorlaufzeit | Zu bestätigen |
Minimum | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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30000 | $0.14016 | $4204.8 |
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