JAN1N757DUR-1 | Roving Networks / Microchip Technology JAN1N757DUR-1

JAN1N757DUR-1

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Artikelnummer	JAN1N757DUR-1
LIXINC Part #	JAN1N757DUR-1
Hersteller	Roving Networks / Microchip Technology
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Zener - Single
Beschreibung	DIODE ZENER 9.1V 500MW DO213AA
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	JAN1N757DUR-1 PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Sep 27 - Oct 01 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
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JAN1N757DUR-1 Spezifikationen

Artikelnummer:	JAN1N757DUR-1
Marke:	Roving Networks / Microchip Technology
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Zener - Single
Hersteller:	Roving Networks / Microchip Technology
Serie:	Military, MIL-PRF-19500/127
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Spannung - Zener (nom) (vz):	9.1 V
Toleranz:	±1%
Leistung max:	500 mW
Impedanz (max) (zzt):	10 Ohms
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	1 µA @ 7 V
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	1.1 V @ 200 mA
Betriebstemperatur:	-65°C ~ 175°C
Befestigungsart:	Surface Mount
Paket / Koffer:	DO-213AA (Glass)
Gerätepaket des Lieferanten:	DO-213AA