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MURTA600120R

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Artikelnummer	MURTA600120R
LIXINC Part #	MURTA600120R
Hersteller	GeneSiC Semiconductor
Kategorie	Diskreter Halbleiter › Dioden - Gleichrichter - Arrays
Beschreibung	DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER
Lebenszyklus	Aktiv
RoHS	Keine RoHS-Informationen
EDA/CAD-Modelle	MURTA600120R PCB-Footprint und Symbol
Lager	USA, Europa, China, Sonderverwaltungszone Hongkong
Voraussichtliche Lieferung	Oct 23 - Oct 27 2024(Wählen Sie Expressversand)
Garantie	Bis zu 1 Jahr [Eingeschränkte Garantie]*
Zahlung
Versand

MURTA600120R Spezifikationen

Artikelnummer:	MURTA600120R
Marke:	GeneSiC Semiconductor
Lebenszyklus:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Kategorie:	Diskreter Halbleiter
Unterkategorie:	Dioden - Gleichrichter - Arrays
Hersteller:	GeneSiC Semiconductor
Serie:	-
Paket:	Bulk
Teilstatus:	Active
Diodenkonfiguration:	1 Pair Common Anode
Diodentyp:	Standard
spannung - dc umgekehrt (vr) (max):	1200 V
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (io) (pro Diode):	300A
Spannung - vorwärts (vf) (max) @ if:	2.6 V @ 300 A
Geschwindigkeit:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Rückwärtserholzeit (trr):	-
Strom - Rückwärtsleckage @ vr:	25 µA @ 1200 V
Betriebstemperatur - Sperrschicht:	-55°C ~ 150°C
Befestigungsart:	Chassis Mount
Paket / Koffer:	Three Tower
Gerätepaket des Lieferanten:	Three Tower

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